综述
推出氮化镓之后，英飞凌已成为市场上唯一提供全面产品组合的企业，涵盖了所有功率技术——硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓。我们提供能效优越的解决方案，从微安到兆瓦应有尽有，包括高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化镓增强型 HEMT、功率分立式元件、保护开关、硅驱动器、氮化镓驱动器、IGBT 模块、智能功率模块（IPM）、线性调节器、电机控制解决方案、LED 驱动器以及各种交流-直流、直流-交流和数字功率转换。
功率模块 子类别
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栅极驱动
我们提供低压和高压栅极驱动芯片及解决方案，以实现对IGBT和MOSFET器件高效而可靠的控制。作为高速驱动解决方案，英飞凌DC-DC低压栅极驱动能够在运算和通信负载点等领域实现对双功率MOSFET器件的驱动，并且可根据设计需求和应用条件对系统效率进行调整。您还可以参考英飞凌面向CoolMOS? MOSFET、分立式IGBT器件以及适用于大部分工业应用的模块的高性能隔离栅驱动芯片及EiceDRIVER?产品。
大功率晶闸管及二极管
IGBT
得益于领先的技术，英飞凌提供了包括裸片、分立器件、模块及堆栈在内的全系列IGBT产品。依托于丰富的产品系列，我们为您的工业应用（通用逆变器、太阳能及风力发电逆变器、UPS、焊接、感应加热装置和SMPS系统）提供可靠而高效的解决方案。同时，在包括电饭煲、微波炉、电磁炉以及空调系统等消费领域，我们的IGBT产品同样能够胜任。此外，英飞凌的汽车级分立式IGBT及模块可用于压电注射、HID照明、泵以及小型电机等应用。
集成功率级
该功率级产品拥有最高等级的效率和功率密度，例如DrMOS和DrBlade。得益于DrBlade产品所采用的Blade芯片嵌入技术，英飞凌实现了高度紧凑的集成式MOSFET半桥驱动方案。
MOSFET
英飞凌MOSFET系列包含汽车级MOSFET、功率MOSFET和RF MOSFET等产品。面向汽车应用的OptiMOS?采用领先的MOSFET技术和稳定的封装，拥有一流的性能和卓越的载流能力。在电源应用领域，OptiMOS? 20V-250V在系统设计关键参数（如导通电阻和品质因数）方面的表现始终是行业标杆。革命性CoolMOS? 500V-900V功率产品系列在能源效率层面设立了全新的行业标准，显著降低了传导和开关损耗，从而提高了大功率转换系统的功率密度和效率。
碳化硅（SiC）
与常用的硅（Si）相比，SiC器件为高压功率半导体带来诸多优势。英飞凌CoolSiC?肖特基二极管产品涵盖600V-1200V电压区间，为多个领域内解决方案的效率和系统成本带来优化，例如服务器、通信、太阳能、照明、消费电子、PC电源和AC/DC转换。凭借革命性CoolSiC? 1200V SiC JFET系列产品及其Direct Drive技术，英飞凌以其卓越的领先科技助力设计人员将解决方案的效率提升至前所未有的高度。此外，客户还可以选择搭载SiC续流二极管的高效率IGBT功率模块。
