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英飞凌收购赛普拉斯计划已通过美国CFIUS审查,交易尚待中国监管机构批准
英飞凌收购赛普拉斯计划已通过美国CFIUS审查,交易尚待中国监管机构批准

(2020年3月10日,德国慕尼黑和加州圣荷西讯)美国外国投资委员会(CFIUS)已根据国防生产法第721条款(Defense Production Act of 1950),完成对英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)收购赛普拉斯半导体公司计划的审查(该计划于2019年6月3日宣布)。 CFIUS批准该项交易。 这项收购案仍须获得中国国家市场监督管理总局(SAMR)的批准,并需满足收购协议中其他惯例成交条件。 免责声明 本新闻稿包含与英飞凌集团有关的前瞻性叙述是基于当前信息的预测。受限于众多不确定性和风险,因此实际发展可能与预期情况有所不同...

2021-01-02
基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS?源极底置25 V功率MOSFET
基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS?源极底置25 V功率MOSFET

2020年2月13日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆,不仅通态电阻(RDS(on))降低,还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛,包括马达驱动、SMPS(包括服务器、电信和OR-ing)和电池管理等等。   新封装概念将源极(而非传统的漏极)...

2021-01-02
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